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隔离栅晶体管

[拼音]:gelishan jingtiguan

[外文]:isolated gate transistor,缩写IGT

一种功率场效应晶体管与双极型功率晶体管的复合器件。又称电导调制场效应晶体管(即COMFET)。

图1是其等效图和电路符号。IGT是功率集成器件,元件内含IGT单元数百至数千个,集成密度及制作难度在功率场效应晶体管(功率MOSFET)与双极型功率晶体管(GTR)之间。

IGT 管心的部分剖面结构(图2)显示,IGT 由功率场效应晶体管(Ⅰ)与双极型功率晶体管(Ⅱ)两个部分组成。

器件的输入部分为场效应管,输出部分则为双极型管,其中场效应管的输出电流作为双极型管的输入电流。因此,IGT结合了场效应管和双极型管两者的优点:电压型驱动,导通电流密度大,饱和压降低,耐压易提高(与双极型相同),是一种性能较完善的器件。

80年代中期,IGT的容量(已有15A/600V的器件)与功率MOSFET差不多。 在90年代有希望达到80年代中期GTR的水平,其开关频率则不会超过 GTR。用在100kHz以下、10kW以内的电力电子装置中,IGT既比功率MOSFET的效率高,又比GTR的驱动线路简单。IGT做成模块及组件后会更有利于应用。

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